2STR2160 PNP Transistor, -2 A, -60 V, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26750 шт., срок 6 недель
160 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 4 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2STR2160
pdf, 366 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
