IPL60R210P6AUMA1, N-Channel MOSFET, 19.2 A, 600 V, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8 IPL60R210P6AUMA1

IPL60R210P6AUMA1, N-Channel MOSFET, 19.2 A, 600 V, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8 IPL60R210P6AUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 060 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.771 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 5 300 руб.
Номенклатурный номер: 8014553532
Артикул: IPL60R210P6AUMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 19.2 A
Maximum Drain Source Resistance 0.21 O
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type ThinkPAK 8x8
Pin Count 5
Series CoolMOS P6
Transistor Material Si
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1457 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов