AIKQ120N60CTXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 080 руб.
от 10 шт. —
3 520 руб.
от 30 шт. —
3 160 руб.
от 120 шт. —
2 584.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 080 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Полевой упор для траншеи IGBT, 600 В, 160 А, 833 Вт, сквозное отверстие, PG-TO247-3-46
Технические параметры
| Base Product Number | AIKQ120 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 160A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 480A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 772nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 833W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchStopв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-46 |
| Switching Energy | 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 33ns/310ns |
| Test Condition | 400V, 120A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 120A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 2 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 5.7V |
| Maximum Power Dissipation | 833 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet AIKQ120N60CTXKSA1
pdf, 1926 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
