MSC025SMA120B
![Фото 1/2 MSC025SMA120B](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614819.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/468/DOC025468637.jpg)
10 780 руб.
от 25 шт. —
8 390 руб.
от 100 шт. —
6 860 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 780 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 1,2 кВ 103A (Tc) 500 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247-3
Технические параметры
Base Product Number | MSC025 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 103A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 20V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Package Type | TO-247 |
Transistor Material | SiC |
Техническая документация
Datasheet MSC025SMA120B
pdf, 1244 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары