MSC025SMA120B

Фото 1/2 MSC025SMA120B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 780 руб.
от 25 шт.8 390 руб.
от 100 шт.6 860 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 780 руб.
Номенклатурный номер: 8006192185

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 1,2 кВ 103A (Tc) 500 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247-3

Технические параметры

Base Product Number MSC025 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 103A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1.2kV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 20V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 1000V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
RoHS Status RoHS Compliant
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 73 A
Maximum Drain Source Voltage 1200 V
Package Type TO-247
Transistor Material SiC

Техническая документация

Datasheet MSC025SMA120B
pdf, 1244 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов