P-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SSM SSM3J35FS(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
999990 шт., срок 6 недель
61 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 100 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SSM |
| Pin Count | 3 |
| Series | SSM3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 0.8mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
