F3L75R07W2E3B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, EasyPACK 2B, Three level Inverter, 75 А, 1.45 В, 250 Вт, 150 °C
![F3L75R07W2E3B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, EasyPACK 2B, Three level Inverter, 75 А, 1.45 В, 250 Вт, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC024051604.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 240 руб.
от 5 шт. —
11 380 руб.
от 10 шт. —
10 090 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 240 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Series |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 95 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | PCB Mount |
Package Type | EASY2B |
Pin Count | 27 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Series |
Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары