IXA12IF1200PB, IXA12IF1200PB IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 300 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
1 150 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 65 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Maximum Power Dissipation | 85 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXA12IF1200PB
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов