IXA12IF1200PB, IXA12IF1200PB IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Фото 1/4 IXA12IF1200PB, IXA12IF1200PB IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 300 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.1 150 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 65 000 руб.
Номенклатурный номер: 8014599103
Артикул: IXA12IF1200PB
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 20 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 85 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXA12IF1200PB
pdf, 152 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов