FP15R12W1T7B11BOMA1 Hex IGBT, 15 A 1200 V, 23-Pin EasyPIM

Фото 1/2 FP15R12W1T7B11BOMA1 Hex IGBT, 15 A 1200 V, 23-Pin EasyPIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 670 руб.
Номенклатурный номер: 8014771828
Артикул: FP15R12W1T7B11BOMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon 15 A PIM IGBT module has higher power density and also has lower system cost. It has low on state voltage VCEsat and Vf.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Hex
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 15 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 7
Package Type EasyPIM
Pin Count 23
Base Product Number FP15R12 ->
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature 175В°C (TJ)
Package Tray
Package / Case Module
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series TrenchStopв„ў ->
Supplier Device Package AG-EASY1B-2
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 15А
DC Ток Коллектора 15А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Half Bridge Inverter
Линейка Продукции EasyPIM
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.6В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 7(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов