650V 41A, SiC Schottky Rectifier & Schottky Diode, TO-220-2 IDH20G65C6XKSA1

Фото 1/2 650V 41A, SiC Schottky Rectifier & Schottky Diode, TO-220-2 IDH20G65C6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 870 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 870 руб.
Номенклатурный номер: 8014773011
Артикул: IDH20G65C6XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The Infineon Schottky diodes & rectifiers SIC DIODES have repetitive reverse voltage(Vrrm) is 650 V.The operating temperature is starts from -55 °C to 175 °C.

Технические параметры

Diode Configuration Single
Diode Technology SiC Schottky
Diode Type SiC Schottky
Maximum Continuous Forward Current 41A
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220-2
Peak Reverse Repetitive Voltage 650V
Rectifier Type Schottky Diode
Series XDH20G65
Base Product Number IDH20G65 ->
Capacitance @ Vr, F 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 41A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 67ВµA @ 420V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Operating Temperature - Junction -55В°C ~ 175В°C
Package Tube
Package / Case TO-220-2
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 20A
Average Forward Current 41А
Repetitive Peak Reverse Voltage 650В
Количество Выводов 2 Вывода
Линейка Продукции CoolSiC 6G 650V
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Полный Емкостной Заряд Qc 26.8нКл
Стиль Корпуса Диода TO-220
Тип Монтажа Диода Сквозное Отверстие
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов