IKA10N65ET6XKSA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
890 руб.
от 2 шт. —
760 руб.
от 5 шт. —
677 руб.
от 10 шт. —
635 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 руб.
Описание
Электроэлемент
650 V, 10 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 FullPAK package, PG-TO220-3, RoHS
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 42.5A |
| Gate Charge | 27nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 40W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 51ns |
| Series | TrenchStopв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 Full Pack |
| Switching Energy | 200ВµJ(on), 70ВµJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 30ns/106ns |
| Test Condition | 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 8.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IKA10N65ET6 SP001701334 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 15 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 15 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IGBT6 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
| Maximum Power Dissipation | 32.5 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 3.098 |
Техническая документация
Datasheet IKA10N65ET6XKSA2
pdf, 3303 КБ
Datasheet IKA10N65ET6XKSA2
pdf, 2048 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
