DMN2310UFD-7, N-Channel MOSFET, 1.7 A, 20 V, 3-Pin U-DFN1212-3 Diodes Inc DMN2310UFD-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
79 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.95V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | U-DFN1212-3 |
| Pin Count | 3 |
| Drain Source On State Resistance | 0.15Ом |
| Power Dissipation | 1.1Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 950мВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | U-DFN1212 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
