AUIRF2804STRL, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 270А, 300Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
910 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 910 руб.
Описание
МОП-транзистор AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 120 ns |
| Время спада | 130 ns |
| Высота | 4.4 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP001521004 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 130 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.25 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 270 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.002 o |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 750 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
