BCX56-16.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 88 шт.
Добавить в корзину 88 шт.
на сумму 880 руб.
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги5
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, SOT89
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.6 mm |
| Длина | 4.6 mm |
| Другие названия товара № | BCX56-16 T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 150 mA at 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.6 mm |
| Base Product Number | BCX56 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power - Max | 1.25W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 80 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | 1 |
| Тип проводимости | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.35 W |
| Minimum DC Current Gain | 63 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.156 |
Техническая документация
BCX56,115
pdf, 1714 КБ
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet
pdf, 1124 КБ
Datasheet
pdf, 1257 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BCP56_BCX56_BC56PA
pdf, 1668 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
