HSBB2627, 20V 48A 29W 9m-@4.5V,10A 1V@250uA P Channel PRPAK3x3 MOSFETs
2810 шт., срок 6 недель
56 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
39 руб.
от 150 шт. —
35 руб.
от 500 шт. —
30.83 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 48A 29W 9mΩ@4.5V,10A 1V@250uA P Channel PRPAK(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 48A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@4.5V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 29W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet HSBB2627
pdf, 535 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6679AZ, Транзистор P-MOSFET 30В 13.5А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
