HSBB0012, 100V 20A 21W 105m-@10V,5A 2.5V@250uA N Channel PRPAK3*3 MOSFETs
105 шт., срок 6 недель
62 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 310 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 20A 21W 105mΩ@10V,5A 2.5V@250uA N Channel PRPAK(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@10V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 21W |
| Type | N Channel |
| Manufacturer | HUASHUO |
| Package / Case | PRPAK3*3 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 525 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
