2SA1303, TO-3PN Pre-ordered transistors
11 шт., срок 7 недель
490 руб.
от 10 шт. —
330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TO-3PN Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 14A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@5A, 500mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 50@5A, 4V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Вес, г | 6.91 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
