SS8050 200-350, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
22850 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.20 руб.
от 6000 шт. —
1.96 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 250 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 300mW 120@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 150nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | - |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 834 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.