G2305, 20V 4.1A 1.7W 52m-@4.5V,4.1A 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
11270 шт., срок 7 недель
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
от 300 шт. —
9.70 руб.
от 3000 шт. —
7.01 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
20V 4.1A 1.7W 52mΩ@4.5V,4.1A 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 35Ω@4.5V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Power Dissipation (Pd) | 1.3W |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4.8A |
Manufacturer | GOFORD |
Package / Case | SOT-23 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.7W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50mΩ 4.1A, 4.5V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V 250uA |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3022 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.