HSBB3060, 30V 45A 21W 9.8m-@10V,12A 2.2V@250uA N Channel PRPAK3*3 MOSFETs
879 шт., срок 6 недель
79 руб.
от 10 шт. —
55 руб.
от 30 шт. —
44 руб.
от 100 шт. —
34.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 79 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 45A 21W 9.8mΩ@10V,12A 2.2V@250uA N Channel PRPAK(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 45A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9.8mΩ@10V, 12A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 21W |
Type | N Channel |
Manufacturer | HUASHUO |
Package / Case | PRPAK3*3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 782 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары