HSBB3060, 30V 45A 21W 9.8m-@10V,12A 2.2V@250uA N Channel PRPAK3*3 MOSFETs

879 шт., срок 6 недель
79 руб.
от 10 шт.55 руб.
от 30 шт.44 руб.
от 100 шт.34.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 79 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015759002
Артикул: HSBB3060
Бренд: HUASHUO

Описание

30V 45A 21W 9.8mΩ@10V,12A 2.2V@250uA N Channel PRPAK(3x3) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 45A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 9.8mΩ@10V, 12A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA
Power Dissipation (Pd) 21W
Type N Channel
Manufacturer HUASHUO
Package / Case PRPAK3*3
Packaging Tape & Reel (TR)
Вес, г 0.12

Техническая документация

Datasheet
pdf, 782 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.