BRD4N65, 650V 4A 75W 2.7-@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs

1955 шт., срок 6 недель
56 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.36 руб.
от 150 шт.31 руб.
от 500 шт.25.59 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015761421
Артикул: BRD4N65

Описание

650V 4A 75W 2.7Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.7Ω@10V, 2A
Drain Source Voltage (Vdss) 650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Power Dissipation (Pd) 75W
Type N Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 4A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 75W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 2.7Ω 2A, 10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V 250uA
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet BRD4N65
pdf, 438 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.