BRD4N65, 650V 4A 75W 2.7-@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs
1955 шт., срок 6 недель
56 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
36 руб.
от 150 шт. —
31 руб.
от 500 шт. —
25.59 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
650V 4A 75W 2.7Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 75W |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 75W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.7Ω 2A, 10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V 250uA |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet BRD4N65
pdf, 438 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.