2SB1197-Q, 500nA 32V 200mW 120@100mA,3V 800mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
3010 шт., срок 7 недель
17 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
8.70 руб.
от 3000 шт. —
6.38 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
32V 200mW 120@100mA,3V 800mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 939 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
