L2SC2412KRLT1G, 100nA 50V 200mW 150mA 180MHz 400mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
4650 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
2.90 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 200mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet L2SC2412KRLT1G
pdf, 127 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары