LMBTA56LT1G, Транзистор биполярный BJT 100 нА 80 В 225мВт 100 при 100 мА, 1 В 500 мА 50 МГц 250 мВ при 100 мА, 10 мА PNP -55-+150-@(Tj) SOT-
3180 шт., срок 6 недель
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.50 руб.
от 3000 шт. —
3.84 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
80V 225mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Manufacturer | Leshan Radio |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LMBTA56LT1G
pdf, 600 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2N4403, Транзистор, PNP, 40В, 600мА [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299916.jpg)
![2SA1213, Транзистор PNP 50В 2А HFE=70…240 0.5Вт [SOT-89]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306882.jpg)
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299928.jpg)
