LBC856BWT1G, 15nA 65V 150mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP -55-~+150-@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT

4260 шт., срок 6 недель
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.5 руб.
от 600 шт.3.50 руб.
от 3000 шт.2.79 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015784141
Артикул: LBC856BWT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

65V 150mW 290@2mA,5V 100mA PNP SC-70 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 15nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 65V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 650mV@100mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 290@2mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 100MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 65V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 150mW
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet LBC856BWT1G
pdf, 254 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.