LBC856BWT1G, 15nA 65V 150mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP -55-~+150-@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
4260 шт., срок 6 недель
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.50 руб.
от 3000 шт. —
2.79 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
65V 150mW 290@2mA,5V 100mA PNP SC-70 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@100mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 290@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet LBC856BWT1G
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары