RTF015N03TL, SOT-323T MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1855 шт., срок 7 недель
88 руб.
от 10 шт. —
61 руб.
от 30 шт. —
48 руб.
от 100 шт. —
38.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 88 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-CH 30V 1.5A TUMT3
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9 ns |
Время спада | 9 ns |
Высота | 0.77 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | RTF015N03 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RTF015N03 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323T-3 |
Ширина | 1.7 mm |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet RTF015N03TL
pdf, 2292 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.