2N2907A, 100nA 60V 625mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT
11160 шт., срок 7 недель
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
5 руб.
от 3000 шт. —
4.26 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
60V 625mW 100@150mA,10V 600mA PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.6V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet 2N2907A
pdf, 1253 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
