HSP18N20, 200V 18A 170m-@10V,9A 83W 2.5V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs
2 шт., срок 6 недель
190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
200V 18A 170mΩ@10V,9A 83W 2.5V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@10V, 9A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.13 |
Техническая документация
Datasheet HSP18N20
pdf, 382 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/227/DOC000227612.jpg)
![AF4502CSLA, Транзистор MOSFET P/N-каналы 30В (D-S) [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242348.jpg)
