LMBTA05LT1G, 100nA 60V 225mW 100@100mA,1V 500mA 100MHz 250mV@100mA,10mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
1820 шт., срок 6 недель
10 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
7 руб.
от 300 шт. —
4.90 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 100 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 225mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 113 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары