HSP18P20, 200V 18A 330m-@10V,5.5A 310W 5V@250uA 185pF@25V P Channel 2416pF@25V 80nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-220 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1 шт., срок 6 недель
590 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
200V 18A 330mΩ@10V,5.5A 310W 5V@250uA P Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 18A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 330mΩ@10V, 5.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.416nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 310W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 185pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 80nC@10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 3.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 348 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары