BRD2N60, 600V 2A 37W 5-@10V,1A 4V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs
3440 шт., срок 6 недель
58 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
39 руб.
от 150 шт. —
35 руб.
от 500 шт. —
30.61 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
600V 2A 37W 5Ω@10V,1A 4V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 37W |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 2A(Tc) |
| Manufacturer | Foshan Blue Rocket Elec |
| Package / Case | TO-252 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 37W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5Ω 1A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V 250uA |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet BRD2N60
pdf, 681 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
