HSBB02P15, 150V 2A 640m-@10V,1A 7.7W 3V@250uA 23pF@75V P Channel 400pF@75V 4.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK3x3 MOSFETs
810 шт., срок 6 недель
79 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
50 руб.
от 150 шт. —
44 руб.
от 500 шт. —
34.24 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 395 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
150V 2A 640mΩ@10V,1A 7.7W 3V@250uA P Channel PQFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 2A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 640mΩ@10V, 1A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@75V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 7.7W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 23pF@75V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.5nC@10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 835 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары