HSBB02P15, 150V 2A 640m-@10V,1A 7.7W 3V@250uA 23pF@75V P Channel 400pF@75V 4.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK3x3 MOSFETs

810 шт., срок 6 недель
79 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.50 руб.
от 150 шт.44 руб.
от 500 шт.34.24 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 395 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015800593
Артикул: HSBB02P15
Бренд: HUASHUO

Описание

150V 2A 640mΩ@10V,1A 7.7W 3V@250uA P Channel PQFN-8(3x3) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 2A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 640mΩ@10V, 1A
Drain Source Voltage (Vdss) 150V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 400pF@75V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 7.7W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 23pF@75V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 4.5nC@10V
Type P Channel
Вес, г 0.13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 835 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.