L2SC3356LT1G, 1uA 12V 200mW 170@10mA,3V 100mA 7GHz NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

1380 шт., срок 6 недель
26 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.15 руб.
от 300 шт.14 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015800672
Артикул: L2SC3356LT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

12V 200mW 170@10mA,3V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 12V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) -
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 170@10mA, 3V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 200mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 7GHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 12V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 200mW
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet L2SC3356LT1G
pdf, 140 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.