L2SC3356LT1G, 1uA 12V 200mW 170@10mA,3V 100mA 7GHz NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
1380 шт., срок 6 недель
26 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
15 руб.
от 300 шт. —
14 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
12V 200mW 170@10mA,3V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 170@10mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 7GHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet L2SC3356LT1G
pdf, 140 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![КТ3102ВМ, Биполярный транзистор, NPN, 30В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=200…500 [КТ-26 / TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
