MMBT2222ALT1, 10nA 40V 300mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 300mV@150mA,15mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

18200 шт., срок 6 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.5 руб.
от 3000 шт.3.50 руб.
от 6000 шт.3 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 400 руб.
Номенклатурный номер: 8015804218
Артикул: MMBT2222ALT1
Бренд: LG Electronics

Описание

40V 300mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 600mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 10nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@150mA, 10V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 300MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 40V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 300mW
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet MMBT2222ALT1
pdf, 1684 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.