HSBB3056, 30V 35A 3.2m-@10V,20A 27W 1.7V@250uA 70pF@15V N Channel 1476pF@15V 14.6nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) PRPAK3*3 MOSFETs

2790 шт., срок 6 недель
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.68 руб.
от 150 шт.60 руб.
от 500 шт.49.47 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015807193
Артикул: HSBB3056
Бренд: HUASHUO

Описание

30V 35A 3.2mΩ@10V,20A 27W 1.7V@250uA N Channel PRPAK(3x3) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 35A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.2mΩ@10V, 20A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.7V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.476nF@15V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 27W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 70pF@15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 14.6nC@4.5V
Type N Channel
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 794 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.