HSBB3056, 30V 35A 3.2m-@10V,20A 27W 1.7V@250uA 70pF@15V N Channel 1476pF@15V 14.6nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) PRPAK3*3 MOSFETs
2790 шт., срок 6 недель
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
68 руб.
от 150 шт. —
60 руб.
от 500 шт. —
49.47 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 35A 3.2mΩ@10V,20A 27W 1.7V@250uA N Channel PRPAK(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 35A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.2mΩ@10V, 20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.476nF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 27W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF@15V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14.6nC@4.5V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 794 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары