HSP120N08, 80V 120A 220W 5.7m-@10V,50A 4V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs
15 шт., срок 6 недель
280 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5.7mΩ@10V, 50A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 220W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.12 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC002975537.jpg)
![2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/235/DOC000235967.jpg)
![2SK2313, Транзистор N-MOSFET 60В 60А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK2466, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/227/DOC000227615.jpg)
![2SK2134-Z, Транзистор N-MOSFET 200В 13А [D2PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
