ASDM20N20KQ-R, 20V 20A 20m-@4.5V,8A 32W 1V@250uA 80pF@15V N Channel 515pF@15V 10nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) TO-252 MOSFETs
1165 шт., срок 7 недель
48 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
30 руб.
от 150 шт. —
25 руб.
от 500 шт. —
21.97 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
20V 20A 20mΩ@4.5V,8A 32W 1V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 20A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V, 8A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 515pF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 32W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 80pF@15V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@4.5V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1062 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары