WSD40120DN56G, 40V 120A 1.4m-@10V,20A 125W 1.6V@250uA 82pF@20V N Channel 3.972nF@20V 45nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(5x6) MOSFETs
9132 шт., срок 7 недель
300 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 30 шт. —
171 руб.
от 100 шт. —
146.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.972nF@20V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 82pF@20V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet WSD40120DN56G
pdf, 2081 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
