HY045N10P, 100V 120A 5m-@10V,50A 221W 4V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs

341 шт., срок 7 недель
360 руб.
от 10 шт.250 руб.
от 50 шт.227 руб.
от 100 шт.203.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015833068
Артикул: HY045N10P
Бренд: HUAYI

Описание

100V 120A 5mΩ@10V,50A 221W 4V@250uA N Channel TO-220FB MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 120A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 5mΩ@10V, 50A
Drain Source Voltage (Vdss) 100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Power Dissipation (Pd) 221W
Type N Channel
Вес, г 2.87

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1574 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.