HY045N10P, 100V 120A 5m-@10V,50A 221W 4V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs
341 шт., срок 7 недель
360 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 50 шт. —
227 руб.
от 100 шт. —
203.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 120A 5mΩ@10V,50A 221W 4V@250uA N Channel TO-220FB MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 120A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V, 50A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 221W |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.87 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1574 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.