5N10-HXY, 100V 5A 125m-@10V,4A 3.1W 2.5V@250uA N Channel 182pF@50V SOT-23 MOSFETs
6310 шт., срок 7 недель
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
7.60 руб.
от 3000 шт. —
6.22 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 5A 125mΩ@10V,4A 3.1W 2.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 98mΩ@10V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 650pF@50V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1926 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
