HY1606B
199 шт., срок 7-9 недель
82 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
65 руб.
от 30 шт. —
57 руб.
от 100 шт. —
48.09 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 410 руб.
Номенклатурный номер: 8022946380
Бренд: HUAYI
Описание
60V 66A 10.4mΩ@10V,33A 88W 3V@250uA N Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 66A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10.4mΩ@10V, 33A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.068nF@25V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 88W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 376pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 51nC@10V |
Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet HY1606B
pdf, 627 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.