ME12N15-G, 150V 13.6A 150m-@10V,8A 44.6W 3V@250uA 29pF@25V N Channel 839pF@25V 31.8nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252-3 MOSFETs
1 шт., срок 6 недель
99 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 99 руб.
Описание
150V 13.6A 150mΩ@10V,8A 44.6W 3V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 13.6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V, 8A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 839pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 44.6W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 29pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 31.8nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.63 |
Техническая документация
Datasheet ME12N15-G
pdf, 1081 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары