ME12N15-G, 150V 13.6A 150m-@10V,8A 44.6W 3V@250uA 29pF@25V N Channel 839pF@25V 31.8nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252-3 MOSFETs

1 шт., срок 6 недель
99 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 99 руб.
Номенклатурный номер: 8015838139
Артикул: ME12N15-G
Бренд: MATSUKI

Описание

150V 13.6A 150mΩ@10V,8A 44.6W 3V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 13.6A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@10V, 8A
Drain Source Voltage (Vdss) 150V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 839pF@25V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 44.6W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 29pF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 31.8nC@10V
Type N Channel
Вес, г 0.63

Техническая документация

Datasheet ME12N15-G
pdf, 1081 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.