ME2306D, 30V 5.3A 31m-@10V,6.7A 1.39W 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
2690 шт., срок 6 недель
28 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
17 руб.
от 300 шт. —
15 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 5.3A 31mΩ@10V,6.7A 1.39W 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V, 6.7A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 370pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.39W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 21pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.7nC@4.5V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
