MMBT3904N3, 100nA 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 200MHz 300mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-883-3 Bipolar Transistors - BJT
40 шт., срок 6 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN - Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
