PJW4N06A, SOT-223 MOSFETs
1055 шт., срок 6 недель
79 руб.
от 10 шт. —
54 руб.
от 30 шт. —
43 руб.
от 100 шт. —
33.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 79 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-223 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@3A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 509pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.7W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.1nC@4.5V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 380 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
