2SD1816L-S-TN3-R, 1uA 100V 1W 140@500mA,5V 4A 180MHz 150mV@2A,200mA NPN +150-@(Tj) TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT
3280 шт., срок 6 недель
47 руб.
от 10 шт. —
37 руб.
от 30 шт. —
29 руб.
от 100 шт. —
24.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 47 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 1W 140@500mA,5V 4A NPN TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 4A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@2A, 200mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 140@500mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V |
Maximum DC Collector Current | 4A |
Pd - Power Dissipation | 1W |
Вес, г | 0.51 |
Техническая документация
Datasheet 2SD1816L-R-TM3-T
pdf, 251 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары