NTGS5120PT1G, SOT-23-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12400 шт., срок 7 недель
63 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
39 руб.
от 150 шт. —
34 руб.
от 500 шт. —
27.43 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 315 руб.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 4.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TSOP-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
| Rise Time | 4.9 ns |
| Series | NTGS5120P |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet NTGS5120PT1G
pdf, 129 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
