2SD669AG-C-AB3-R, 10uA 160V 500mW 100@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@600mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 шт., срок 6 недель
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Maximum DC Collector Current | 1.5A |
Pd - Power Dissipation | 500mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.