2SD669AG-C-AB3-R, 10uA 160V 500mW 100@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@600mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT

2SD669AG-C-AB3-R, 10uA 160V 500mW 100@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@600mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
55 шт., срок 6 недель
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.22 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015849592
Артикул: 2SD669AG-C-AB3-R

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 160V
Maximum DC Collector Current 1.5A
Pd - Power Dissipation 500mW
Transistor Type NPN
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 225 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.