PPM6N12V10, DFN-6-EP(2x2) MOSFETs
682 шт., срок 6 недель
89 руб.
от 10 шт. —
55 руб.
от 30 шт. —
39 руб.
от 100 шт. —
30.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 89 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
DFN-6-EP(2x2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | - |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | - |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары