HY1210D, 100V 26A 36m-@10V,10A 50W 3V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs
13 шт., срок 7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 26A 36mΩ@10V,10A 50W 3V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 26A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 50W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2410 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
