HY1001D, 70V 70A 7.4m-@10V,40A 75W 3V@250uA 220pF@25V N Channel 4200pF@25V 82nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs

772 шт., срок 7 недель
120 руб.
от 10 шт.86 руб.
от 30 шт.67 руб.
от 100 шт.58.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015858513
Артикул: HY1001D
Бренд: HUAYI

Описание

70V 70A 7.4mΩ@10V,40A 75W 3V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 70A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 7.4mΩ@10V, 40A
Drain Source Voltage (Vdss) 70V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 4.2nF@25V
Operating Temperature -55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 75W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 220pF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 82nC@10V
Type N Channel
Вес, г 0.53

Техническая документация

Datasheet
pdf, 959 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.